АкушерствоАнатомияАнестезиологияВакцинопрофилактикаВалеологияВетеринарияГигиенаЗаболеванияИммунологияКардиологияНеврологияНефрологияОнкологияОториноларингологияОфтальмологияПаразитологияПедиатрияПервая помощьПсихиатрияПульмонологияРеанимацияРевматологияСтоматологияТерапияТоксикологияТравматологияУрологияФармакологияФармацевтикаФизиотерапияФтизиатрияХирургияЭндокринологияЭпидемиология
|
Метод сканирующей ионной микроскопии
Введение
Необходимость в более точной информации об изображении образца в таких областях, как материаловедение, исследования полупроводников и биологические науки существенно расширили границы возможностей микроскопии с применением заряженных частиц. Ключевым лимитирующим фактором для всех производителей микроскопов в смысле соответствия возросшим требованиям остается относительная стабильность технологий источника заряженных частиц. В последних поколениях инструментов мы видели очень небольшие изменения в технологии источников, в то же время существенные усилия были направлены на уменьшение аберраций, которые ответственны за потери четкости изображения образцов – при всех сопутствующих сложностях и стоимости. Все эти усилия, представляющие собой последовательные расширения возможностей технологий источников, сами по себе не могут решить многие проблемы в области нанотехнологий. Кроме того, существуют многочисленные проблемы в визуализации таких материалов, как полимеры и биологические образцы, которые невозможно решить посредством улучшения разрешения. Их решение предполагает использование другой динамики взаимодействия пучка частиц и образца. В этом смысле прорывной технологией, отвечающей такой проблематике, является гелиевый ионный микроскоп.
Метод сканирующей ионной микроскопии
Наиболее современным и информативным методом исследования микроструктуры материала является сканирующая электронная микроскопия. Сканирующие ионные микроскопы обладают рядом преимуществ, а именно:
- простота подготовки образца к исследованию;
- возможность работы с не проводящими электрический ток образцами;
- малый ток пучка позволяет избежать негативных последствий, связанных с изменениями, происходящими в образце под действием пучка и уменьшить влияние зарядки непроводящих образцов;
- меньшая длина испускаемой волны позволяет дифракционные эффекты;
- при взаимодействии гелиево-ионного пучка с образцом, фактически, отсутствуют эффекты обратного рассеяния, ограничивающие разрешение в электронной микроскопии, следовательно, изображение, получаемое с помощью сканирующего ионного микроскопа имеет большее разрешение и большую четкость, детализацию.
Дата добавления: 2015-09-03 | Просмотры: 422 | Нарушение авторских прав
1 | 2 | 3 | 4 |
|