АкушерствоАнатомияАнестезиологияВакцинопрофилактикаВалеологияВетеринарияГигиенаЗаболеванияИммунологияКардиологияНеврологияНефрологияОнкологияОториноларингологияОфтальмологияПаразитологияПедиатрияПервая помощьПсихиатрияПульмонологияРеанимацияРевматологияСтоматологияТерапияТоксикологияТравматологияУрологияФармакологияФармацевтикаФизиотерапияФтизиатрияХирургияЭндокринологияЭпидемиология

Легирование

Легированием называется введение примесей в нужные места кристалла в определенной концентрации. Этот процесс состоит из двух стадий: первая - доставка примесных атомов не поверхность; вторая - распределение их по объёму и активизация.

Примеси на поверхность или в приповерхностный слой можно подавать в виде газовой фазы, либо в виде ионов.

Вторая стадия – термодиффузия (Т = 1000 ¸ 1200 °С). Цель – формирование примесной области нужной глубины и формы. А также активация примесей, для которой необходимо чтобы атомы примеси заняли места атомов кремния в узлах кристаллической решетки. Кроме того, после ионного внедрения примесей кристаллическая решетка частично разрушается (радиационные дефекты). Во время термообработки кристаллическая решетка восстанавливается.

Процесс легирования проводят многократно, а значит, процесс диффузии также повторяется. Предыдущие легированные слои расползаются. Поэтому примеси выбирают из следующих соображений:

Коэффициент диффузии у первой примеси ниже, чем у последующих:

D_n1 < D_n2 < D_n3.

Тогда соответственно и температуры диффузии примеси должны выбираться согласно условию:

Т₃ > T₂ > T₁.

При создании микроэлектронных структур происходит многократное пере легирование, поэтому концентрация первой примеси должна быть меньше последующих:

N_d1 < N_d2 < N_d3, иначе пере компенсация примеси и смена типа проводимости не произойдет.

Дата добавления: 2015-09-18 | Просмотры: 354 | Нарушение авторских прав