АкушерствоАнатомияАнестезиологияВакцинопрофилактикаВалеологияВетеринарияГигиенаЗаболеванияИммунологияКардиологияНеврологияНефрологияОнкологияОториноларингологияОфтальмологияПаразитологияПедиатрияПервая помощьПсихиатрияПульмонологияРеанимацияРевматологияСтоматологияТерапияТоксикологияТравматологияУрологияФармакологияФармацевтикаФизиотерапияФтизиатрияХирургияЭндокринологияЭпидемиология

Метод контрольного подтравливания

По периметру кристалла с лицевой стороны, на которой размещены пьезоэлементы, производят контрольное подтравливание в виде кольцевой канавки на глубину, равную желаемой толщине упругого элемента преобразователя.

Процесс травления заканчивается тогда, когда фронт травления достигает канавки. В этот момент кристалл отделяется от пластины, а толщина мембраны равна глубине контрольной канавки. Достоинство этого способа - не требуется точно поддерживать и контролировать температуру и концентрацию травителя, от которых существенно зависит скорость травления. Другим достоинством является высокая воспроизводимость толщины упругих элементов преобразователей по пластине, несмотря на неравномерность исходной пластины по толщине.

Однако при этом необходимо, помимо дополнительных операций фотолитографии и травления, использовать специальные методы защиты токоведущих дорожек и контактных площадок, что существенно усложняет технологию.

Остановка травления на высоколегированных областях кремния

Известен способ остановки травления на сильно легированной (> 10¹⁹см^-3) бором диффузионной p ⁺⁺‑ области. Толщина р ⁺⁺-слоя ограничена 2...3 мкм, поскольку диффузия на большую глубину ведет к существенным механическим деформациям в формируемой мембране из-за разницы размеров атомов бора и кремния. Кроме того, сильно легированная поверхность подложки не пригодна для формирования на ней пьезорезисторов.

Электрохимическая остановка анизотропного травления кремния

В данном методе используются кремниевые пластины с подложкой р -типа и эпитаксиальным слоем n -типа, толщина которого равна желаемой толщине мембраны и может достигать толщины до сотен микрометров с погрешностью всего 1%. Технология электрохимической самоостановки травления основана на процессах анодной пассивации при травлении кремния с обратно смещенным р‑n ‑переходом (рис. 5.5).

Рис. 5.5. Схема анизотропного травления с электрохимической остановкой процесса

 

Остановка травления достигается при подаче положительного потенциала на эпитаксиальный слой посредством омического электрического контакта, в то время как электрический контакт к травящейся подложке осуществляется через травильный раствор с инертным электродом.

Когда травитель, протравив подложку, доходит до n -слоя, происходит пассивация поверхности кремния, и травление останавливается.

Метод представляется весьма перспективным, однако информация о нем носит прикладной характер и относится в основном к реализации процессов для конкретных микроструктур.

Дата добавления: 2015-09-18 | Просмотры: 603 | Нарушение авторских прав