АкушерствоАнатомияАнестезиологияВакцинопрофилактикаВалеологияВетеринарияГигиенаЗаболеванияИммунологияКардиологияНеврологияНефрологияОнкологияОториноларингологияОфтальмологияПаразитологияПедиатрияПервая помощьПсихиатрияПульмонологияРеанимацияРевматологияСтоматологияТерапияТоксикологияТравматологияУрологияФармакологияФармацевтикаФизиотерапияФтизиатрияХирургияЭндокринологияЭпидемиология

Лазерная обработка.

Электронно- и ионно- лучевые технологии могут использоваться, наряду с формированием рисунка маски, и для удаления материала пленки.

А Б В

Рис. Профили травления. А – ионное «сухое» (направленное) травление. Б – «мокрое» химическое травление. В – электронно – лучевое травление для формирования штыря.

Малоразмерный аналог электронно- лучевой трубки (ЭЛТ) – полевые эмиссионные дисплеи (ПЭД) или Field Emission Display (FED).

Рис. Структура ПЭД с наноконусами, формирующими пиксел информационного сигнала.

Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) и его более мощная разновидность атомный силовой микроскоп (АСМ) могут быть использованы для получения рисунка в нанослое, используя термическое или механическое воздействие. При высокой температуре нагрева АСМ способен испарять материал вблизи зонда. АСМ позволяет осуществлять непосредственное силовое (механическое) воздействие зондом на поверхность образца. Это может производиться двумя способами – статическим воздействием (наногравировка) и динамическим воздействием (наночеканка).

Профили травления.

При химическом изотропном травлении возникают проблемы с контролем перемещения травителя. Он распространяется равномерно во все стороны и проникает под маскирующий слой, образуя подтравы и радиальную боковую поверхность. Профиль, наиболее приближенный к прямоугольному, обеспечивает ионно-химическое травление.

Форма углубления отчасти зависит от структуры материала. Чем меньше атомов на сингулярной плоскости, тем быстрее она травится. Плоскости описываются с помощью индексов Миллера.

Рис. Варианты кристаллической структуры кремния (silicon) от менее плотной объемоцентрированной кубической – выделена плоскость (100) – до наиболее плотной объемо- и гранецентрированной кубической – выделена плоскость (111).

Рис. Профили травления кремниевой подложки в зависимости от кристаллографического ориентирования образца и направленности потока травителя.

.

Дата добавления: 2016-03-26 | Просмотры: 336 | Нарушение авторских прав