АкушерствоАнатомияАнестезиологияВакцинопрофилактикаВалеологияВетеринарияГигиенаЗаболеванияИммунологияКардиологияНеврологияНефрологияОнкологияОториноларингологияОфтальмологияПаразитологияПедиатрияПервая помощьПсихиатрияПульмонологияРеанимацияРевматологияСтоматологияТерапияТоксикологияТравматологияУрологияФармакологияФармацевтикаФизиотерапияФтизиатрияХирургияЭндокринологияЭпидемиология

ОБСЛУЖИВАНИЕ АНТЕННЫХ СИСТЕМ

В соответствии с «Правилами по оборудованию морских судов» Российского Морского Регистра Судоходства “...к установке на суда допускаются антенны любого типа, обеспечивающие наиболее эффективное использование радиооборудования по своему назначению. Антенны должны быть устойчивыми к воздействию механических и климатических факторов, имеющих место в условиях эксплуатации судов...”

Характеристики некоторых антенн ПВ/КВ и УКВ-диапазонов приведены в табл. 8.3.

Таблица 8.3. Характеристики антенн

При использовании в ПВ-диапазоне антенны лучевого типа должна быть полностью смонтированная для немедленного подъема запасная антенна, а также антенный канатик, изоляторы антенны (включая проходные) и такелажные детали (скобы, коуши, зажимы и т.п.), позволяющие изготовить антенну, равноценную установленной на судне.

Коаксиальные кабели, питающие антенны, должны устанавливаться в отдельных сигнальных шахтах, на расстоянии не менее 10 см от питающих кабелей. Пересечение кабелей должно осуществляться под прямым углом (90°). Минимальный радиус изгиба коаксиального кабеля выбирается в зависимости от того, как часто собираются менять его местоположение. Если укладка однократная, радиус изгиба можно принять равным пяти наружным диаметрам кабеля, если предполагается неоднократная проводка - десяти - двадцати диаметрам

> Состояние антенн должно проверяться ежемесячно.

• Сопротивление изоляции антенн по отношению к корпусу судна при нормальных климатических условиях должно быть не менее 10 МОм, а при повышенной влажности - не менее 1 МОм.

• Отдельные участки проводов антенн и их снижений не должны находиться ближе 1 м от труб, мачт и других металлических частей судна и не должны касаться металлических конструкций в любых условиях его эксплуатации.

> Раз в полгода должны проводиться осмотры антенного хозяйства и заземления блоков

настройки антенны (передатчиков):

• Должна производиться очистка изоляторов, восстановление поврежденных деталей, покрытие противокоррозионной смазкой стальных фалов, очистка от грязи и смазка блоков для подъема лучевых антенн, шарнирных устройств заваливающихся штыревых антенн и т.п.

• Проверяется сопротивление заземления блока настройки антенны и корпуса передатчика, которое не должно превышать 0,02 Ом.

5. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов
1.	Диод Общее обозначение
2.	Диод туннельный
3.	Диод обращенный
4.	Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) а) односторонний
б) двухсторонний
5.	Диод теплоэлектрический
6.	Варикап (диод емкостной)
7.	Диод двунаправленный
8.	Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами
9.	Диод Шоттки
10.	Диод светоизлучающий
6. Примеры построения обозначений тиристоров
1.	Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении
2.	Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении
3.	Тиристор диодный симметричный
4.	Тиристор триодный. Общее обозначение
5.	Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду
по катоду
6.	Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду
7.	Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: с управлением по аноду
с управлением по катоду
8.	Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак
9.	Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении
7. Примеры построения обозначений транзисторов
1.	Транзистор а) типа PNP
б) типа NPN
2.	Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом
3.	Транзистор лавинный типа NPN
4.	Транзистор однопереходный с N-базой
5.	Транзистор однопереходный с Р-базой
6.	Транзистор двухбазовый типа NPN
7.	Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области
8.	Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области
9.	Транзистор многоэмиттерный типа NPN
8. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены
1.	Транзистор полевой с каналом типа N
2.	Транзистор полевой с каналом типа Р
3.	Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: а) обогащенного типа с Р-каналом
б) обогащенного типа с N-каналом
в) обедненного типа с Р-каналом
г) обедненного типа с N-каналом
4.	Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки
5.	Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом
6.	Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки
7.	Транзистор полевой с затвором Шоттки
8.	Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки
9. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов
1.	Фоторезистор: а) общее обозначение
б) дифференциальный
2.	Фотодиод
3.	Фототиристор
4.	Фототранзистор: а) типа PNP
б) типа NPN
5.	Фотоэлемент
6.	Фотобатарея
10. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов
1.	Оптрон диодный
2.	Оптрон тиристорный
3.	Оптрон резисторный
4.	Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем
5.	Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы
б) без вывода от базы
11. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов
1.	Датчик Холла Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника
2.	Резистор магниточувствительный
3.	Магнитный разветвитель

Правила замены компонентов электронных схем.

Замена компонентов электронных схем (полупроводниковых приборов, микросхем, резисторов, конденсаторов, переключателей, реле, разъемов и т.п.) методом ручной пайки должна проводиться при отключенной от сети аппаратуре с соблюдением определенных правил.

При работе с электрическим паяльником следует:

• периодически проверять омметром отсутствие замыкания между корпусом паяльника и нагревательным элементом. Такое замыкание может стать причиной поражения током и повреждения припаиваемых элементов. Рекомендуется заземлять жало паяльника;

• использовать устойчивую подставку для паяльника, предохраняющую его от падения;

• не производить пайку в работающем устройстве, так как случайное замыкание может быть причиной электротравмы или повредить устройство;

• участки тела, обожженные паяльником или брызгами припоя, надо сначала охладить водой, затем сделать содовую примочку. В дальнейшем обожженное место смазать смягчающим кремом или вазелином.

> Выводы элементов во время пайки необходимо держать плоскогубцами для обеспечения отвода тепла. Перегрев полупроводниковых приборов и микросхемы может привести к необратимому ухудшению их параметров.

> Время пайки полупроводниковых приборов не должно превышать 3 секунд.

> Повторную пайку (при необходимости) можно проводить не ранее чем через 5 минут.

> При монтаже аппаратуры с полевыми транзисторами и микросхемами необходимо применять низковольтный паяльник (12-36 В) с регулируемой температурой нагрева. В электросеть такой паяльник включается через понижающий трансформатор с заземленной вторичной обмоткой.

Дата добавления: 2015-05-19 | Просмотры: 661 | Нарушение авторских прав