1. If we add a small amount of arsenic to silicon, several valence electrons of each arsenic atom will form covalent bonds with the neighboring atoms of silicon.
| A. Рекомбинация происходит когда дырки и электроны иногда встречаются в полупроводнике.
|
2. The atom of arsenic has five valence electrons. The fifth electron has no pair and is attached to the arsenic nucleus very loosely.
| B. Каждый атом галлия из III группы вводит одну дырку в кристаллическую решётку.
|
3. Each atom of arsenic will add one negative charge carrier to the silicon crystal. Such an impurity is called donor impurity. The resulting semiconductor will be called an N-type semiconductor.
| C. Если мы добавим небольшое количество мышьяка в кремний, несколько валентных электронов каждого атома мышьяка создадут (образуют) ковалентные связи с соседними атомами кремния.
|
4.If the holes are in the minority in a semiconductor, we’ll call them minority charge carriers.
| D. Тип примеси с галлием называется акцепторной примесью, и получающийся в результате полупроводник известен как полупроводник P-типа.
|
5. Recombination takes place when holes and electrons sometimes meet in the semiconductor.
| E. Эта дырка может двигаться в кристалле таким же образом, как и дырка, полученная в результате теплового возбуждения.
|
6. Each atom of gallium from group III introduces one hole into the crystal lattice of silicon.
| F. Если дырки в меньшинстве в полупроводнике, мы будем называть их неосновными носителями заряда.
|
7. This hole is able to move about in the crystal in the same way as a hole produced by thermal agitation.
| G. Атом мышьяка имеет пять валентных электронов. Пятый электрон не имеет пары, он очень слабо связан с ядром атома мышьяка.
|
8. The type of impurity with gallium is called an acceptor impurity and the resulting semiconductor is known as a P-type semiconductor.
| H. Каждый атом мышьяка добавит один отрицательно заряженный носитель в кристалл кремния. Такая примесь называется донорной примесью. Получившийся в результате полупроводник будет называться полупроводником N-типе.
|