Химическое травление полупроводников основано на процессах окисления поверхности и удаления образовавшихся продуктов. В состав травителей обычно включаются:
 2) окислитель, который обеспечивает образование окисла на поверхности кремния, основными окислителями в кислотных травящих растворах для кремния являются HNO3 и H2O2;
 3) комплексообразователь, который в результате взаимодействия с диоксидом кремния образует растворимое соединение. К комплексообразователям относятся, например, такие кислоты как HF и HCl;
 4) ускорители или замедлители первых двух реакций, если последние протекают с такой скоростью, что ими трудно управлять (например, Br2);
 5) замедлитель реакции травления. Чаще всего для этого используют ледяную уксусную кислоту (CH3COOH) или воду. Следует отметить, что разбавление травителя водой может иногда привести к выявлению структурных дефектов.
 6) специальные добавки, обусловливающие селективность действия травителя.
 Наиболее распространенными травителями для кремния являются смеси на основе азотной и плавиковой кислот. Для получения с их помощью однозначных результатов требуется чрезвычайно тщательная очистка поверхности; кроме того, необходимо следить, чтобы в процессе травления поверхность не приходила в контакт с воздухом. Основные составы травителей и режимы травления представлены в таблице 2.
   | № п.п
 |  Состав травителя
 |  Режимы травления
 |  
  | Смеси на основе азотной и плавиковой кислот
 |  
  |  
 |  Травитель Уайта: 3ч.HNO3+1ч.HF
 |  Полирующий травитель. Травление поверхности (111)
 |  
  |  
 |  Травитель Деша: 1ч.HF+3ч.HNO3+10ч.CH3COOH
 |  Травление всех плоскостей. Образование глубоких ямок, проходящих вдоль дислокационных линий внутрь кристалла.
 |  
  |  
 |  40мл HF+35млHNO3+25млH2O+
 +10млCH3COOH+1гCu(NO3)23H2O
 |  Травление всех плоскостей. Образо-вание глубоких ямок, проходящих вдоль дислокационных линий внутрь кристалла.
 |  
  |  
 |  Травитель CP-4A: 3ч.HF+5ч.HNO3+3ч. CH3COOH
 |  Медленное химическое полирование.
 |  
  |  
 |  8ч.40-42%-ной HF+
 +10ч.56-57%-нойHNO3+10ч.CH3COOH
 |  Плоскости (111), (110) и (100).
 |  
  |  
 |  10ч. 40-42%-ной HF+
 +10ч. 56-57%-ной HNO3+
 +20ч. CH3COOH+3ч. Br2
 |  Плоскости (111), (110) и (100).
 |  
  |  
 
 |  Медный травитель: 4млHF+2млHNO3+
 +4млH2O+0.2гCu(NO3)2 3H2O
 |  Плоскости (111), (110) и (100).
 |  
  |  
 |  5ч. медного травителя + 3ч.CP-4
 |  Плоскости (111), (110) и (100).
 |  
  |  
 |  10г 47-49%-ной HF+
 +5г 70-71%-ной HNO3+14гCH3COOH
 |  Полирующий травитель
 |  
  |  
 |  600±6млHF+
 +300±3млHNO3+
 +28±0.3гCu(NO3)2 3 H2O
 |  Дислокационный травитель.
 |  
  | Травители на основе хромовой и плавиковой кислот
 |  
  |  
 |  1.Основной раствор: 50г CrO3+100млH2O
 2.Основной раствор перемешивают с 38-40%-ной HF в отношении 2:1 для больших, 1:1 для средних и 2:3 для небольших ямок травления (высокая плотность дислокаций)
 |  Образование ямок травления на плоскости (111)
 |  
  |  
 |  1ч. водного раствора CrO3 (2ч. H2O+1ч. CrO3)+1ч. HF
 |  Химическая полировка
 |  
  | Продолжение табл.2.
 |  
  |  
 |  1ч. HF+1ч.H2CrO4
 |   
 |  
  |  
  
 «Окрашивающие» травители
 |  
  |  
 |  100ч. HF +0.1-0.5 ч. HNO3
 |  Выявление p-n-перехода. Материал p-типа темнеет больше, чем n-типа
 |  
  |  
 |  50мл разбавленного раствора Cu(NO3)2+1-2 капли HF
 |  Выявление p-n-перехода. Медь осаждается на материале n-типа (на участках с более низким удельным сопротивлением осаждение происходит интенсивнее)
 |  
  | Методы анодного травления
 |  
  |  
 |  1ч. 48%-ной HF+1ч. CH3COOH (лед)
 |  Образование фигур травления на кристаллах Si n-типа.
 |  
  | Щелочные травители
 |  
  |  
 |  1-30 %-ный раствор NaOH или KOH
 |  Быстро выявляются детали структуры, особенно хорошо – двойниковые ламели на плоскости (111)
 |  
  |  
 |  4%-ный NaOH. К раствору добавляют 40%-ный NaOCl до тех пор, пока на кремнии не прекратится выделение водорода
 |  Для утонения образцов при электронной микроскопии
 |