АкушерствоАнатомияАнестезиологияВакцинопрофилактикаВалеологияВетеринарияГигиенаЗаболеванияИммунологияКардиологияНеврологияНефрологияОнкологияОториноларингологияОфтальмологияПаразитологияПедиатрияПервая помощьПсихиатрияПульмонологияРеанимацияРевматологияСтоматологияТерапияТоксикологияТравматологияУрологияФармакологияФармацевтикаФизиотерапияФтизиатрияХирургияЭндокринологияЭпидемиология

ТЕОРЕТИЧНИЙ ВСТУП. Польовим називається транзистор, керований електричною напругою – полем (на відміну від біполярних транзисторів

Польовим називається транзистор, керований електричною напругою – полем (на відміну від біполярних транзисторів, у яких процес керування обов’язково супроводжується протіканням струму у колі керуючого електрода – бази). Розрізняють польові транзистори(ПТ) з керуючим р-n переходом і з ізольованим затвором.

На рис. 1 наведено конструкцію польового транзистора з керуючим р-n переходом.

а) б) в) Рис. 1 – Структура та умовне позначення ПТ з керуючим p-n переходом з каналом n-типу (а і б) та умовне позначення ПТ з каналом p-типу (в)

Цей транзистор являє собою напівпровідникову пластинку з провідністю, наприклад, n -типу, на верхній і нижній гранях якої створюються шари з провідністю р -типу. Ці шари з’єднують між собою, утворюючи єдиний електрод, що називається затвором (З).

Шар з провідністю n -типу, що розташований між шарами з провідністю р -типу, називається каналом.

Електрична ізоляція між каналом і затвором здійснюється за допомогою р-n переходів, що утворюються на межі напівпровідників з різною провідністю (використовується та властивість зони р-n переходу, що її опір безкінечний з-за відсутності у ній вільних носіїв заряду).

На торці напівпровідникової пластинки (каналу) наносять омічні контакти, що утворюють два інших електроди, до яких підключається джерело живлення і навантаження. Контакт, до якого підключається негативний полюс джерела, називається витоком (В), а контакт, до якого підключається позитивний полюс, стоком (С).

Більш широке застосування, особливо у складі ІМС, знаходять польові транзистори з ізольованим затвором, з структурою метал-діелектрик (окисел)- напівпровідник – МДН (МОН)-транзистори.

Конструкція МОН - транзистора з індукованим каналом n -типу показана на рис. 2 а, а умовне зображення – на рис. 2 б, в.

Рис. 2 – Конструкція МОН-транзистора з індукованим каналом n-типу (а) і умовні позначення таких транзисторів з каналами n-типу (б) та p-типу (в).

Підсилювальні каскади на польових транзисторах.

Принципи побудови підсилювальних каскадів на польових транзисторах ті самі, що і каскадів на біполярних транзисторах. Особливість полягає у тім, що польовий транзистор керується напругою, а не струмом. З цієї причини завдання режиму спокою в каскадах на польових транзисторах здійснюється подачею у вхідне коло каскаду постійної напруги відповідного значення і полярності.

Рис. 3. – Підсилювальний каскад з СВ на польовому транзисторі з керуючим р-n переходом і каналом n-типу.

Польові транзистори так само, як і біполярні, мають три схеми вмикання. Відповідно до назв спільних електродів розрізняють каскади зі спільним стоком (СС), спільним витоком (СВ) та спільним затвором (СЗ).

Підсилюючий каскад з СВ на польовому транзисторі з керуючим р-n переходом і каналом n -типузображений на рис. 3.

Елементи R₁, R_С, R_В задають режим спокою каскаду. Оскільки польові транзистори з керуючим р-n переходом за відсутності сигналу керування максимально відкриті, то зміщення транзистора забезпечується резистором R_В (необхідне значення напруги U_0ЗВ дорівнює U_зм) – автоматичне зміщення. Резистор R₁ призначений для з’єднання затвору транзистора з нижнім виводом R_В і запобігання при цьому закорочування кола керування транзистора (з’єднання його затвору з нульовою точкою схеми). Опір резистора R₁ вибирають якомога більшим, щоб забезпечити великий вхідний опір каскаду.

Резистор R_В також створює негативний зворотний зв’язок за постійним струмом, що слугує для стабілізації режиму спокою каскаду при зміні температури і розкиді параметрів транзистора. Конденсатор С_В призначений для виключення негативного зворотного зв’язку за змінним струмом (за підсинюваним сигналом).

Розділяючий конденсатор С₁ забезпечує зв’язок каскаду з джерелом вхідного сигналу напруги змінного струму. Навантаження підмикається через розділяючий конденсатор С₂ до стоку транзистора.

Каскад з СВ, так само як і каскад з СЕ на біполярному транзисторі, здійснює зсув фази підсилювального сигналу на 180° (інвертує вхідний сигнал).

Схема підсилюючого каскаду з СС (витокового повторювача) зображена на рис. 4.

Будова каскадів на польових транзисторах з ізольованим затвором використовується дуже рідко тому ми не будемо розглядати схему і роботу цих каскадів.

Рис. 4. - Підсилювальний каскад з СС на польовому транзисторі з керуючим р-n переходом і каналом n-типу

Дата добавления: 2015-09-27 | Просмотры: 884 | Нарушение авторских прав