АкушерствоАнатомияАнестезиологияВакцинопрофилактикаВалеологияВетеринарияГигиенаЗаболеванияИммунологияКардиологияНеврологияНефрологияОнкологияОториноларингологияОфтальмологияПаразитологияПедиатрияПервая помощьПсихиатрияПульмонологияРеанимацияРевматологияСтоматологияТерапияТоксикологияТравматологияУрологияФармакологияФармацевтикаФизиотерапияФтизиатрияХирургияЭндокринологияЭпидемиология

ТЕОРЕТИЧНИЙ ВСТУП. Польовим називається транзистор, керований електричною напругою – полем (на відміну від біполярних транзисторів

Прочитайте:
  1. Вступ до нозології. Захворювання кровотворної системи.
  2. Вступ. Предмет і методи анатомії, фізіології та гігієни людини, зв'язок їх з іншими біологічними дисциплінами.
  3. Вступительного испытания для поступления по основной образовательной программе высшего образования – программе ординатуры по специальности 31.08.02 – Анестезиология-реаниматология
  4. Вступительное Резюме
  5. ВСТУПЛЕНИЕ
  6. Вступление
  7. ВСТУПЛЕНИЕ
  8. ВСТУПЛЕНИЕ
  9. ВСТУПЛЕНИЕ
  10. Вступление

 

Польовим називається транзистор, керований електричною напругою – полем (на відміну від біполярних транзисторів, у яких процес керування обов’язково супроводжується протіканням струму у колі керуючого електрода – бази). Розрізняють польові транзистори(ПТ) з керуючим р-n переходом і з ізольованим затвором.

На рис. 1 наведено конструкцію польового транзистора з керуючим р-n переходом.

 

а) б) в) Рис. 1 – Структура та умовне позначення ПТ з керуючим p-n переходом з каналом n-типу (а і б) та умовне позначення ПТ з каналом p-типу (в)

Цей транзистор являє собою напівпровідникову пластинку з провідністю, наприклад, n -типу, на верхній і нижній гранях якої створюються шари з провідністю р -типу. Ці шари з’єднують між собою, утворюючи єдиний електрод, що називається затвором (З).

Шар з провідністю n -типу, що розташований між шарами з провідністю р -типу, називається каналом.

Електрична ізоляція між каналом і затвором здійснюється за допомогою р-n переходів, що утворюються на межі напівпровідників з різною провідністю (використовується та властивість зони р-n переходу, що її опір безкінечний з-за відсутності у ній вільних носіїв заряду).

На торці напівпровідникової пластинки (каналу) наносять омічні контакти, що утворюють два інших електроди, до яких підключається джерело живлення і навантаження. Контакт, до якого підключається негативний полюс джерела, називається витоком (В), а контакт, до якого підключається позитивний полюс, стоком (С).

Більш широке застосування, особливо у складі ІМС, знаходять польові транзистори з ізольованим затвором, з структурою метал-діелектрик (окисел)- напівпровідник – МДН (МОН)-транзистори.

Конструкція МОН - транзистора з індукованим каналом n -типу показана на рис. 2 а, а умовне зображення – на рис. 2 б, в.

 

Рис. 2 – Конструкція МОН-транзистора з індукованим каналом n-типу (а) і умовні позначення таких транзисторів з каналами n-типу (б) та p-типу (в).

 

Підсилювальні каскади на польових транзисторах.

Принципи побудови підсилювальних каскадів на польових транзисторах ті самі, що і каскадів на біполярних транзисторах. Особливість полягає у тім, що польовий транзистор керується напругою, а не струмом. З цієї причини завдання режиму спокою в каскадах на польових транзисторах здійснюється подачею у вхідне коло каскаду постійної напруги відповідного значення і полярності.

Рис. 3. – Підсилювальний каскад з СВ на польовому транзисторі з керуючим р-n переходом і каналом n-типу.

Польові транзистори так само, як і біполярні, мають три схеми вмикання. Відповідно до назв спільних електродів розрізняють каскади зі спільним стоком (СС), спільним витоком (СВ) та спільним затвором (СЗ).

Підсилюючий каскад з СВ на польовому транзисторі з керуючим р-n переходом і каналом n -типузображений на рис. 3.

Елементи R1, RС, RВ задають режим спокою каскаду. Оскільки польові транзистори з керуючим р-n переходом за відсутності сигналу керування максимально відкриті, то зміщення транзистора забезпечується резистором RВ (необхідне значення напруги U0ЗВ дорівнює Uзм) – автоматичне зміщення. Резистор R1 призначений для з’єднання затвору транзистора з нижнім виводом RВ і запобігання при цьому закорочування кола керування транзистора (з’єднання його затвору з нульовою точкою схеми). Опір резистора R1 вибирають якомога більшим, щоб забезпечити великий вхідний опір каскаду.

Резистор RВ також створює негативний зворотний зв’язок за постійним струмом, що слугує для стабілізації режиму спокою каскаду при зміні температури і розкиді параметрів транзистора. Конденсатор СВ призначений для виключення негативного зворотного зв’язку за змінним струмом (за підсинюваним сигналом).

Розділяючий конденсатор С1 забезпечує зв’язок каскаду з джерелом вхідного сигналу напруги змінного струму. Навантаження підмикається через розділяючий конденсатор С2 до стоку транзистора.

Каскад з СВ, так само як і каскад з СЕ на біполярному транзисторі, здійснює зсув фази підсилювального сигналу на 180° (інвертує вхідний сигнал).

Схема підсилюючого каскаду з СС (витокового повторювача) зображена на рис. 4.

Будова каскадів на польових транзисторах з ізольованим затвором використовується дуже рідко тому ми не будемо розглядати схему і роботу цих каскадів.

 

 

Рис. 4. - Підсилювальний каскад з СС на польовому транзисторі з керуючим р-n переходом і каналом n-типу

 


Дата добавления: 2015-09-27 | Просмотры: 846 | Нарушение авторских прав







При использовании материала ссылка на сайт medlec.org обязательна! (0.003 сек.)