АкушерствоАнатомияАнестезиологияВакцинопрофилактикаВалеологияВетеринарияГигиенаЗаболеванияИммунологияКардиологияНеврологияНефрологияОнкологияОториноларингологияОфтальмологияПаразитологияПедиатрияПервая помощьПсихиатрияПульмонологияРеанимацияРевматологияСтоматологияТерапияТоксикологияТравматологияУрологияФармакологияФармацевтикаФизиотерапияФтизиатрияХирургияЭндокринологияЭпидемиология

Принцип работы просвечивающего электронного микроскопа.

Электрон, ускоренный в поле высокого напряжения, может рас­сматриваться в качестве волны и ее можно легко фокусировать, используя осесимметричные электрические или маг­нитные поля. На этом принципе и основано действие просвечиваю­щего электронного микроскопа (ПЭМ), конструкция которого по­хожа на схему обычного оптического микроскопа, где вместо лучей света используются электроны. Первое устройство такого типа было создано учеными М. Кноллом и Е. Руска.

В таком микроскопе источник света заменен так называемой электронной пушкой (источником электронов). Испускаемые пушкой электроны проходят через электронную линзу-конденсор, а затем через линзу-объектив проектируются на люминесцентный экран, под которым располагается фотокамера, позволяющая переводить получаемую на экране картину в привычное фотографическое изображение. Существует много конструкций источников высокоэнергетиче­ских электронов, наиболее простой и надежной из которых являет­ся раскаленная вольфрамовая проволока. В сложных электронных микроскопах с высоким разрешением излучение создается пото­ком электронов, испускаемых поверхностью кремниевого чипа (кристалла) под воздействием сильного электрического поля (так называемая эмиссия под воздействием поля). Иссле­дуемые в ПЭМ образцы должны быть очень тонкими, поскольку именно их толщина определяет размер деталей на изображении. Требуемые сверхтонкие пластины вырезают по довольно сложным методикам, либо изготовляют другими, специальными методиками.

Электронный луч, «просвечивая» тонкий слой вещества, позво­ляет получать прямое изображение дефектов или неоднородностей кристаллической структуры во внутренней части образца. Анализ дифракционных картин дает возможность установить периодич­ность атомных структур, а также ориентацию кристаллов. Разреша­ющая способность новейших ПЭМ уже составляет около 0,2 нм, что подводит нас к получению фотографий отдельных атомов и молекул.

На рис. 1 приведено ПЭМ-изображение структуры вещества сверхтонкой пластинки из наностекла, образованного кристалли­ческими зернами окиси кобальта. На изображении можно выде­лить и разглядеть морфологические особенности с размерами ме­нее 50 нм.

Дата добавления: 2015-10-11 | Просмотры: 786 | Нарушение авторских прав