АкушерствоАнатомияАнестезиологияВакцинопрофилактикаВалеологияВетеринарияГигиенаЗаболеванияИммунологияКардиологияНеврологияНефрологияОнкологияОториноларингологияОфтальмологияПаразитологияПедиатрияПервая помощьПсихиатрияПульмонологияРеанимацияРевматологияСтоматологияТерапияТоксикологияТравматологияУрологияФармакологияФармацевтикаФизиотерапияФтизиатрияХирургияЭндокринологияЭпидемиология

Механизмы возникновения двойного электрического слоя

Прочитайте:
  1. A) возникновения разности потенциалов соседних кардиомиоцитов
  2. Анатомо-физиологические механизмы речи
  3. Антибиотики. Принципы классификации антибиотиков. Механизмы антимикробного действия.
  4. АНТИКАНЦЕРОГЕННЫЕ МЕХАНИЗМЫ ПРОТИВООПУХОЛЕВОЙ ЗАЩИТЫ
  5. АРТЕРИО-ВЕНОЗНАЯ МАЛЬФОРМАЦИЯ И ПРИЧИНЫ ЕЕ ВОЗНИКНОВЕНИЯ
  6. Бактерицидные и бактериостатические гуморальные механизмы
  7. Безусловнорефлекторные, условнорефлекторные, гуморальные механизмы регуляции половых функций.
  8. В зависимости от времени возникновения
  9. В) профилактика возникновения тяжелых гипогликемических состояний с развитием отека мозга
  10. Взаимовлияние людей. Механизмы взаимовлияния людей друг на друга: убеждение, внушение, психологическое заражение, подражание, принуждение

Возникновение двойного электрического слоя на границе раздела фаз в гетерогенных системах (в частности, на границе раздела коллоидных части и дисперсионной среды) возможно двумя путями.

Первый путь связан с адсорбцией на поверхности частиц твердой фазы ионов из раствора. При этом на поверхности твердой фазы адсорбируются те юны, которые могут образовать с ионами противоположного знака (входящи­ми в ее состав) трудно растворимые соединения, либо такие ионы, которые, входя в решетку, могут замещать в кристалле соответствующие ионы, давая изоморфное с кристаллом соединение21.[15]

 

Рис. 5.4. Строение двойного электрического слоя по: 1 - Гельмгольцу;

II- Гуи-Чепмену, III - Штерну (х - расстояние от твердой поверхности)

 

Образование двойного электрического слоя за счет адсорбция на твердой поверхности ионов из окружающего раствора можно проследить на много­численных примерах получения коллоидных растворов химическими методами конденсации. Частицы золей труднорастворимых веществ, например ВаS04, АgС1, АgI, СаСО3 и др., содержат в кристаллической решетке атомы (ионы), обладающие силами остаточных валентностей. Действие этих сил вы­зывает избирательное присоединение ионов из раствора. Так, кристалл АgI будет адсорбировать ионы, дающие с атомами йодистого серебра прочные труднорастворимые или изоморфные соединении. Такими адсорбированными ионами могут быть, например I-, СI+, Вr-, CNS-, Ag+ и другие, в зависимости от того, какой из них окажется в избытке в растворе. (Избирательная адсорбция ионов происходит согласно правилу Пескова-Фаянса).

В качестве примера рассмотрим реакцию обмена между AgNO3 и KIвсильно разбавленных растворах:

AgNO3 + KI = AgI¯ + KNO3,

Ag+ + NO3- + K+ + I- = AgI + K+ + NO3-.

 

Если к раствору КI прибавлять по каплям раствор AgNO3 (т.е. иоиы К+ и I- в избытке), то на поверхности коллоидной частицы AgI будут избирательно адсорбироваться только ионы I, и частица получит отрицательный заряд (рис. 5.5 а). При обратном порядке прибавления растворов (в избытке ионы Ag+ и NO-) коллоидная частица вследствие адсорбции катионов Ag+ на поверхности становится заряженной положительно (рис. 5.5 б). Таким образом создается внутренняя обкладка двойною электрического слоя, определяющая знак заряда коллоидной частицы. Противоионы (соответственно К+ и NO3-) остаются в растворе и образуют наружную обкладку двойного слоя.

Как в первом, так и во втором случае количестворазноименных зарядов одинаково, система в целом электронейтральна.

Второй путь возникновения двойного слоя заключается в том, что поверх-ностные молекулы частиц твердой фазы диссоциируют в жидкой среденаионы. Менее прочно связанный с частицей ион переходит в дисперсионную среду, а более прочно связанный с ней остается на поверхности.

Таким путем возникает двойной электрический слой, например, в золях кремниевой кислоты. На поверхности частиц твердой фазы молекулы H2SiO3 дисcоциируют. При этом ноны Н+ переходят в жидкую фазу, а ионы SiO32-, как более прочно связанные с поверхностью частицы, остаются на ней.

Итак, рассмотрены два пути образования двойногоэлектрического слояна границе раздела коллоидных частиц и дисперсионной среды: либов результате преимущественной адсорбции ионов одного знака на твердой поверхности, либо в процессе диссоциации твердоговещества с поверхности.

Путь образования ДЭС зависит от начального соотношения химических по­тенциалов ионов в твердой и жидкой фазах: при условии, когда miТ < miж, происходит адсорбция ионов; при miт > miж - процесс диссоциации твердого вещества с поверхности. Поскольку ионы - заряженные частицы, их перенос сопровождается возникновением электрического потенциала на твердой по­верхности. Равновесие наступает при определенной величине этого потенциала, препятствующего дальнейшему отложению ионов на поверхности раздела. Система достигает равновесия при равенстве электрохимических по­тенциалов, включающих электрическую составляющую энергии (произве­дение заряда на потенциал):

mi = mi + Zi F j, (5.3)

 

где mi - химический потенциал i-го иона; Zi - валентность (заряд) i-го иона; F - постоянная Фарадея; j - потенциал в данной точке фазы, создаваемый ионами ДЭС. При равновесии перехода выполняется условие miТ = miж, при этом фазы заряжаются разноименно вследствие различной растворимости ионов и катионов, что и приводит к образованию двойного электрического слоя. Он в таких случаях состоит из потенциалобразующих ионов, связанных с решеткой кристалла химическими силами остаточных валентностей, и из противоионов, расположенных в жидкой фазе вблизи твердой поверхности и удерживаемых силами электростатического притяжения, а также отчасти мо­лекулярными силами Ван-дер-Ваальса.

а б

в

 

Рис. 5. 5. Схемы строения мицеллы AgI (а, б) и распределения

в ней зарядов и потенциала (в)

 

 

Противоионами могут быть любыепо природе ионы, но обязательнодругого знака заряда, чем потенциалобразующие.

Независимо от механизма образования ДЭС,непременным условием его возникновения является достаточно высокая плотность расположения зарядов в слое потенциалобразующих ионов. Электростатические силы притяжения такого слоя способствуют возникновению второго, компенсирующего слоя из ионов противоположного знака.

Как уже отмечалось, образование двойного слоя ионов приводит к появ­лению определенных электрических потенциалов на границе раздела твердой и жидкой фаз. Ионы первого слоя (внутренней обкладки), фиксированные на твердой поверхности, придают этой поверхности свой знак заряда и создают на ней так называемый поверхностный или j-потенциал (фи -потенциал). Знак j-потенциала совпадает со знаком заряда потенциалобразующих ионов. Величина его пропорциональначислу зарядов этих ионов на поверхности частиц.

Если двойной слой образуется в результате адсорбции ионов или диссо­циации твердого вещества, то электрический потенциал на поверхности час­тиц определяется исключительно концентрацией или активностью этих ионов в растворе, так как частица действует как обратный электрод относительно таковых. В этом случае j-потенциал можно выразить уравнением Нернста:

или , (5.4)

где j -электрический потенциал на поверхности частицы; R -универсальная газовая постоянная; Т -абсолютная температура; Z -заряд потенциалобразующих ионов; F-постоянная Фарадея, равная NA-e; NA -постоянная Авогадро, е- заряд электрона; К -постоянная Больцмана, равная R/NA; a0 и ap -активность ионов на поверхности и в растворе соответственно.

Второй потенциал, характеризующий двойной слой ионов, называют электрокинетическим или x-потенциалом (дзета- потенциалом). О нем речь пойдет ниже.


Дата добавления: 2015-10-11 | Просмотры: 1613 | Нарушение авторских прав







При использовании материала ссылка на сайт medlec.org обязательна! (0.008 сек.)